|
تفاصيل المنتج:
|
| تطبيق: | جهاز الطاقة ، الصمام ، الاستشعار والكاشف | قطر الدائرة: | Ø 1 "/ Ø 2" / Ø 3 "/ Ø 4" / Ø 6 " |
|---|---|---|---|
| سماكة: | 330 ميكرومتر ~ 350 ميكرومتر | الصف: | درجة الإنتاج / درجة البحث |
| إبراز: | ويفر 350um ZnO,ويفر CdS CdSe ZnO,ويفر 350um ZnTe |
||
رقاقة ZnO ، رقاقة CdS ، رقاقة CdSe ، رقاقة CdTe ، رقاقة ZnS ، رقاقة ZnSe ، رقاقة ZnTe
نحن نقدم رقاقة ZnO أحادية الكريستال عالية النقاء وكتل ZnO لأجهزة الطاقة ، LED ، أجهزة الاستشعار وتطبيقات الكاشف.مع الهيكل البلوري المثالي ، فإن رقاقة ZnO (أكسيد الزنك) لديها 2٪ عدم تطابق شبكي مع GaN ، وهذا أقل بكثير من عدم تطابق الشبكة بين رقاقة الياقوت ورقاقة SiC.رقاقة ZnO هي واحدة من الركائز الأكثر ملاءمة لاستخدامها كنمو فوق المحور GaN وتطبيق أشباه الموصلات ذات فجوة واسعة النطاق.يتم توفير رقاقة ZnO في شكل مربع ، غير مسطح ، مقاس 10 × 10 × 0.5 مم ، سطح مصقول مزدوج الجوانب وموجهة ، وقد تم استخدام رقاقة ZnO عالية الجودة على نطاق واسع لنمو
أجهزة قاعدة نيتريد.الرجاء الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات عن المنتج.
تطبيق ZnO Wafer
| نمو فوق المحور الجاليوم | كاشفات الأشعة فوق البنفسجية |
| أجهزة الطاقة | الأجهزة الباعثة للضوء |
| الكهروضوئية | مجسات |
خصائص ويفر ZnO
| صيغة كيميائية | ZnO |
| هيكل بلوري | سداسي الشكل |
| ثابت شعرية | 3.3 أ |
| عدم تطابق الشبكة مع GaN في مستوى <0001> | 9 |
| توصيل حراري | 0.006 كالوري / سم / ك |
| معامل الانكسار | 2.0681 / 2.0510 |
| تحديد الوجه المصقول | زن - وجه / س - وجه |
مواصفات المنتج
| نمو | مائي حراري |
|---|---|
| كتلة / كتلة ZnO | 26.5 × 26.5 × 10 ملم |
| رقاقة ZnO | 10 × 10 × 0.5 ملم |
| اتجاه | وجه Zn <0001> / O face <000-1> |
| المقاومة النوعية | 500-1000 أوم سم |
| سطح | جانبين مصقول |
| خشونة | رع <= 10 أ |
| صفقة | صندوق الغشاء |
اتصل شخص: Daniel
الهاتف :: 18003718225
الفاكس: 86-0371-6572-0196
